Ｔｕｔｏｒｉａｌ　連載（６）●配線工程の検査・解析技術〜４５ｎｍで普及するポーラスｌｏｗ−ｋ信頼性の評価が歩留まり向上に
日経マイクロデバイス　第268号　2007.10.1

この記事の情報
掲載誌	日経マイクロデバイス　第268号（2007.10.1）
ページ数	7ページ　（全6692字）
形式	PDFファイル形式　（790kb）
雑誌掲載位置	83〜89ページ目

６５〜４５ｎｍ世代のＬＳＩ配線工程で導入されるポーラス低誘電率（ｌｏｗ−ｋ）膜には，検査・解析技術が欠かせない。ポーラスｌｏｗ−ｋ膜は，ＳｉＯ２ベースの絶縁膜に空孔を多く設けて比誘電率（ｋ値）を下げた材料であり，機械的強度やほかの膜との密着性が９０ｎｍ以前の非ポーラス材料に比べて劣る。そこで，応力や衝撃が加わりやすい配線工程や実装工程に対する信頼性の評価が欠かせない。さらに，配線材料として標準的に…