Ｔｕｔｏｒｉａｌ　連載（５）●ひずみ計測技術〜ラマン散乱によるＳｉのひずみ評価近接場光で空間分解能を向上
日経マイクロデバイス　第267号　2007.9.1

この記事の情報
掲載誌	日経マイクロデバイス　第267号（2007.9.1）
ページ数	7ページ　（全6245字）
形式	PDFファイル形式　（967kb）
雑誌掲載位置	65〜71ページ目

ひずみを制御してＬＳＩ特性を高めるために，ひずみ測定技術への期待が高まっている。背景には，微細化の進展だけでなく，ひずみＳｉ技術などの新たな技術の導入がある。連載の第５回は，ＬＳＩ分野で主流のラマン分光法を使ったひずみ（応力）の測定原理と測定手法を解説するとともに，既存のラマン分光法の限界を打ち破る近接場光技術の最新開発状況を紹介する。（河合　基伸＝本誌）吉川　正信東レリサーチセンター構造化学研究…