Ｔｅｃｈ−Ｏｎ！Ｒａｎｋｉｎｇ［ＭＥＭＳ］〜ＭＥＭＳスイッチによる不揮発性ＤＲＡＭＫＡＩＳＴが発表
日経マイクロデバイス 第266号 2007.8.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第266号（2007.8.1） |
|---|---|
| ページ数 | 2ページ （全336字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （319kb） |
| 雑誌掲載位置 | 122〜123ページ目 |
「Ｔｒａｎｓｄｕｃｅｒｓ’０７」で，韓国Ｋｏｒｅａ Ａｄｖａｎｃｅｄ Ｉｎｓｔｉｔｕｔｅ ｏｆ Ｓｃｉｅｎｃｅ ａｎｄ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ （ＫＡＩＳＴ）が，ＭＥＭＳスイッチを使ってリークが生じないようにしたＤＲＡＭについて発表した。韓国Ｓａｍｓｕｎｇ Ｅｌｅ−ｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｃｏ．， Ｌｔｄ．と共同で研究した成果という。論文のタイトルは「Ａ ＤＲＡＭ−ＬＩＫＥ ＭＥＣＨＡＮＩＣＡＬ ＮＯＮ…
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