Ｔｅｃｈ−Ｏｎ！Ｒａｎｋｉｎｇ［ＥＤＡ］〜ＳＯＩやＳｉ貫通ビアなどを採用した４５ｎｍのＡＳＩＣ米ＩＢＭが発表
日経マイクロデバイス 第265号 2007.7.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第265号（2007.7.1） |
|---|---|
| ページ数 | 2ページ （全451字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （342kb） |
| 雑誌掲載位置 | 112〜113ページ目 |
米ＩＢＭ Ｃｏｒｐ．は，ＳＯＩ（ｓｉｌｉｃｏｎ ｏｎ ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）基板の４５ｎｍ世代のプロセスを使うＡＳＩＣ「Ｃｕ−４５ Ｈｉｇｈ Ｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅ（ＨＰ）」など４製品を，米国カリフォルニア州で開催の「４４ｔｈ Ｄｅｓｉｇｎ Ａｕｔｏｍａｔｉｏｎ Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ（ＤＡＣ ２００７）」で発表した。「Ｃｕ−４５ ＨＰ」は，埋め込みＤＲＡＭを混載できることを特徴とし，バルク基板を使…
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