Ｋｅｙ　Ｐｅｒｓｏｎ　キー・パーソン〜２０ｎｍ以降も微細化をリード
日経マイクロデバイス　第265号　2007.7.1

この記事の情報
掲載誌	日経マイクロデバイス　第265号（2007.7.1）
ページ数	2ページ　（全2885字）
形式	PDFファイル形式　（1146kb）
雑誌掲載位置	28〜29ページ目

「非プレーナ型ＭＯＳ　ＦＥＴ時代も微細化で業界をリードする」。米Ｉｎｔｅｌ　Ｃｏｒｐ．のＬＳＩ製造技術戦略を統括するＰａｏｌｏ　Ａ．　Ｇａｒｇｉｎｉ氏は，「Ｍｏｏｒｅの法則」を２０ｎｍ以降も維持できると強い自信を見せる。４５ｎｍ世代で高誘電率（ｈｉｇｈ−ｋ）ゲート絶縁膜／メタル・ゲートを実用化するなど，抜きん出た技術力を持つＩｎｔｅｌ。その強さの源泉をＧａｒｇｉｎｉ氏に聞いた。米Ｉｎｔｅｌ　Ｃｏｒ…