Ｔｕｔｏｒｉａｌ　第１回●微細　ＭＯＳ　ＦＥＴの検査〜第１回●微細ＭＯＳ　ＦＥＴの検査　ひずみやバラつきを測定しトランジスタの性能を向上
日経マイクロデバイス　第263号　2007.5.1

この記事の情報
掲載誌	日経マイクロデバイス　第263号（2007.5.1）
ページ数	7ページ　（全6114字）
形式	PDFファイル形式　（788kb）
雑誌掲載位置	67〜73ページ目

６５〜４５ｎｍ世代のＬＳＩの性能向上に向けて，検査・解析技術の重要性が高まっている。これらの世代では，ひずみＳｉや低誘電率（ｌｏｗ−ｋ）膜，高誘電率（ｈｉｇｈ−ｋ）膜，メタル・ゲートといった新たな材料や構造が本格的に導入されるためである。さらに，プロセスの要であるリソグラフィ技術も液浸露光へと変化する。６５〜４５ｎｍで新たに必要となる検査・解析技術とはどのようなものか。今回から始まる連載で明らかに…