Ｔｅｃｈ−Ｏｎ！Ｒａｎｋｉｎｇ［ＥＤＡ］〜４５ｎｍバルクＣＭＯＳでもＳＲＡＭが安定ルネサスと松下が共同開発
日経マイクロデバイス 第262号 2007.4.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第262号（2007.4.1） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全363字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （334kb） |
| 雑誌掲載位置 | 105ページ目 |
ルネサス テクノロジと松下電器産業は，ＳｏＣ（ｓｙｓｔｅｍ ｏｎ ａ ｃｈｉｐ）やマイコンに埋め込むＳＲＡＭブロックを安定動作させるための技術を共同で開発し，「ＩＳＳＣＣ ２００７」で発表した。今回の技術は，ローカルＶｔｈバラつきを対象にする。このバラつきを補償するために，読み出しと書き込みそれぞれに対してアシスト回路を新規に開発した。今回は，４５ｎｍ世代のバルクＣＭＯＳで製造した場合でも，安定…
記事の購入（ダウンロード）
購入には会員登録が必要です 会員登録はこちら
価格 330円（税込）
他のIDで購入する
G-Search ミッケ！は雑誌を記事ごとに販売するサービスです。
この記事は「1ページ（全363字）」です。ご購入の前に記事の内容と文字数をお確かめください。
（注）特集のトビラ、タイトルページなど、図案が中心のページもございます。
Ｔｅｃｈ−Ｏｎ！Ｒａｎｋｉｎｇ［ＥＤＡ］〜「高品質は生き残るための条件」自動車用半導体でルネサスに聞く
Ｔｅｃｈ−Ｏｎ！Ｒａｎｋｉｎｇ［ＥＤＡ］〜１月の半導体世界売上高が前年比９．２％増ＤＲＡＭは驚異の７２％増
Ｔｅｃｈ−Ｏｎ！Ｒａｎｋｉｎｇ［ＥＤＡ］〜「Ｃｅｌｌ」と組み合わせるＸＤＲメモリー米Ｒａｍｂｕｓが技術を発表
Ｔｅｃｈ−Ｏｎ！Ｒａｎｋｉｎｇ［ＥＤＡ］〜「リーク電流の絶対値だけでなくバラつきも小さくする」
Ｔｅｃｈ−Ｏｎ！Ｒａｎｋｉｎｇ［ＥＤＡ］〜東芝，欧州／アジア向け液晶テレビに米Ｘｉｌｉｎｘの９０ｎｍ ＦＰＧＡを採用
