Ｃｏｖｅｒ Ｓｔｏｒｙ Ｐａｒｔ２ 巨大市場が見えてきた，新型メモリー〜Ｐａｒｔ２ 技術動向 書き込み電流とチップ面積を削減６５ｎｍ以降に微細化へ
日経マイクロデバイス 第262号 2007.4.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第262号（2007.4.1） |
|---|---|
| ページ数 | 6ページ （全8091字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （2408kb） |
| 雑誌掲載位置 | 34〜39ページ目 |
ＰＲＡＭやＭＲＡＭの製品化を阻んでいた技術課題の克服に，ようやくメドが付いた。ＰＲＡＭは書き込み電流が大きいという問題があったが，記憶素子の材料や構造を改良することで解決した。ＭＲＡＭは，誤書き込みによる信頼性低下が問題だったが，書き込み技術の工夫によって解決した。さらにＭＲＡＭでは，６５ｎｍ以降へと微細化するために必要な書き込み技術の開発も進んだ。これらの成果によって，新型不揮発性メモリーが既存…
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