Ｅｍｅｒｇｉｎｇ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ〜１Ｔビット級のＲｅＲＡＭＳａｍｓｕｎｇが塗布法での形成に道
日経マイクロデバイス 第260号 2007.2.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第260号（2007.2.1） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全861字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （1267kb） |
| 雑誌掲載位置 | 5ページ目 |
１Ｔビットを超える大容量の不揮発性メモリーを，低コストの塗布プロセスで作製する。こうした手法の基礎となる技術を，韓国Ｓａｍｓｕｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｃｏ．， Ｌｔｄ．が開発した（図１）。４Ｆ２，多値，３次元のセルを開発 同社が開発したのは，高集積化に向く（１）４Ｆ２（Ｆは設計ルール）のセル面積，（２）多値，（３）３次元積層，のすべての条件を備えたＲｅＲＡＭ（ｒｅｓｉｓｔｉｖｅ ＲＡＭ）素…
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