Ｋｅｙ Ｗｏｒｄ 今月のキー・ワード〜『ＣＴＦ：Ｃｈａｒｇｅ Ｔｒａｐ Ｆｌａｓｈ』
日経マイクロデバイス 第257号 2006.11.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第257号（2006.11.1） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全935字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （133kb） |
| 雑誌掲載位置 | 17ページ目 |
「ＣＴＦ：Ｃｈａｒｇｅ Ｔｒａｐ Ｆｌａｓｈ」と呼ぶ新構造のＮＡＮＤ型フラッシュ・メモリーが注目を集めている（図１）。既存の浮遊ゲート構造に置き換わるＮＡＮＤ型の新構造として，韓国Ｓａｍｓｕｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｃｏ．， Ｌｔｄ．が実現したためである。３２ＧビットのＣＴＦ構造のＮＡＮＤ型を２００６年９月に開発した。ＣＴＦの導入によって，同社はＮＡＮＤ型の微細化を２０ｎｍ世代まで持続し，容…
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