Tech−On!Ranking[MEMS]〜産総研,Siチップに搭載可能な 測定レンジの広いH2漏れ検知センサーを開発
日経マイクロデバイス 第256号 2006.10.1
掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第256号(2006.10.1) |
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ページ数 | 1ページ (全305字) |
形式 | PDFファイル形式 (270kb) |
雑誌掲載位置 | 104ページ目 |
産業技術総合研究所(産総研)は,Siチップに搭載可能なマイクロ熱電式H2センサーを開発した。測定レンジが0.5ppm〜5%と広く,H2ステーションなどの施設で漏れ検知に使える。今後は,センサーの試作品を関連機関に提供し,H2関連施設での実用化を目指す。このセンサーは,セラミックス担持Pt触媒を熱電変換MEMSデバイスの上にパターン形成したもの。従来のセンサーに比べてPt触媒の性能を引き出せるため…
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