Ｅｍｅｒｇｉｎｇ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ〜９ｎｍ厚Ｓｉ薄膜でオンチップＬＥＤ 光配線をＣＭＯＳで実現へ
日経マイクロデバイス 第256号 2006.10.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第256号（2006.10.1） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全955字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （139kb） |
| 雑誌掲載位置 | 3ページ目 |
ＬＳＩチップ間を数Ｇビット／秒以上で接続する光配線を，ＣＭＯＳプロセスで実現する−。機器を低コストで高性能化できるこうした手法の基礎となる技術を日立製作所が開発した。 同社は今回，Ｓｉ薄膜でＬＥＤ（ｌｉｇｈｔ ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｄｉｏｄｅ）が作製できることを世界に先駆けて実証した（図１）。ＣＭＯＳプロセスで形成できるため，ロジックＬＳＩとの１チップ化が可能である。このＳｉ−ＬＥＤをチップ間の光配…
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