Ｔｅｃｈ−Ｏｎ！Ｒａｎｋｉｎｇ［ＬＳＩ］〜アルバック，ＭＩＲＡＩの成果使い 比誘電率２．１のポーラスｌｏｗ−ｋ材料を発売
日経マイクロデバイス 第255号 2006.9.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第255号（2006.9.1） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全316字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （248kb） |
| 雑誌掲載位置 | 94ページ目 |
アルバックは半導体ＭＩＲＡＩプロジェクトからの技術移管を受け，比誘電率２．１のポーラス低誘電率（ｌｏｗ−ｋ）材料の販売を開始する。同社は２００１年に始まった半導体ＭＩＲＡＩプロジェクトでの成果を受け，３２ｎｍ世代に向けたｌｏｗ−ｋ材料として売り出すことを決めた。まず，２００６年８月から溶液，成膜済み２００ｍｍウエーハ，処理装置の販売をそれぞれ開始する。２００７年１月には成膜済み３００ｍｍウエーハ…
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