Ｔｕｔｏｒｉａｌ〜ＳｉＯ２からｈｉｇｈ−ｋ／メタルへ 材料革新で薄膜化の限界を突破
日経マイクロデバイス 第251号 2006.5.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第251号（2006.5.1） |
|---|---|
| ページ数 | 8ページ （全13211字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （213kb） |
| 雑誌掲載位置 | 90〜97ページ目 |
鄭 基市東京エレクトロンＡＴ ＥＳＤ開発技術部門連載の第４回では，ＭＯＳ ＦＥＴの性能を左右するゲート・プロセスを取り上げる。ＭＯＳ ＦＥＴはＳｉＯ２ゲート絶縁膜の薄膜化によって高性能化を達成してきた。その薄膜化が，ここへ来て限界に達しつつある。ＳｉＯ２膜の厚さが２ｎｍ前後に達し，リーク電流が無視できなくなったためである。今後はリーク電流を抑制できる高誘電率（ｈｉｇｈ−ｋ）ゲート絶縁膜が欠かせな…
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