Ｒｅｐｏｒｔ［ＬＳＩ］〜ロームがＳｉＣでパワーＦＥＴ開発 ハイブリッド車を狙い出荷へ
日経マイクロデバイス 第251号 2006.5.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第251号（2006.5.1） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全1658字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （49kb） |
| 雑誌掲載位置 | 80ページ目 |
ロームが，ハイブリッド車などの駆動回路に向けたパワー半導体のＳｉＣ−ＭＯＳ ＦＥＴを開発，２００８年頃の量産を目指してサンプル出荷を始める。ＳｉＣ−ＭＯＳ ＦＥＴはＳｉ−ＭＯＳ ＦＥＴに比べて動作時の電力損失が少なく，動作温度の上限が高いという特徴があるが，実用化されていなかった。今回，同社は定格電流３Ａ品（耐圧９００Ｖ）と１０Ａ品（耐圧１２００Ｖ）の２種類を，２００６年中にサンプル出荷すること…
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