Ｃｏｖｅｒ Ｓｔｏｒｙ Ｐａｒｔ２ フラッシュ・メモリー，成長阻む「２００９年問題」を突破〜Ｐａｒｔ２ 技術動向 ３０ｎｍ突破へ，浮遊ゲートの延命に総力 窒化膜構造の開発を加速
日経マイクロデバイス 第250号 2006.4.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第250号（2006.4.1） |
|---|---|
| ページ数 | 8ページ （全6171字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （232kb） |
| 雑誌掲載位置 | 42〜49ページ目 |
「２００９年問題」を突破すべく，ＮＡＮＤ型フラッシュ・メモリー各社が４０〜３０ｎｍ世代の微細化に向けた技術開発を加速し始めた。まずは，浮遊ゲート構造を４０ｎｍ世代まで延命することが第１のハードルになる。ＮＡＮＤ型大手は，そのハードルを越えるための手法を見いだし始めた。続く３０ｎｍ世代に向けては，浮遊ゲート構造を代替する構造の開発に拍車がかかっている。４０〜３０ｎｍ世代の壁を乗り越えれば，成長著しい…
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