Ｔｅｃｈ−Ｏｎ！Ｒａｎｋｉｎｇ［ＥＤＡ］〜米ＴＩが動作電圧０．４ＶのＳＲＡＭを試作 リーク電流の低減を狙う
日経マイクロデバイス 第249号 2006.3.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第249号（2006.3.1） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全383字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （273kb） |
| 雑誌掲載位置 | 89ページ目 |
米Ｔｅｘａｓ Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ Ｉｎｃ．（ＴＩ）と米Ｍａｓｓａｃｈｕｓｅｔｔｓ Ｉｎｓｔｉｔｕｔｅ ｏｆ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ（ＭＩＴ）の研究グループは，０．４Ｖとサブ・スレッショルド領域で動作するＳＲＡＭを試作した。技術の詳細をＭＩＴの研究者が「ＩＥＥＥ Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｓｏｌｉｄ−Ｓｔａｔｅ Ｃｉｒｃｕｉｔｓ Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ（ＩＳＳＣＣ ２００６）」で発表した（講演番…
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