Ｒｅｐｏｒｔ［ＬＳＩ］〜新型フラッシュが相次ぎ市場に登場　非浮遊ゲートでＮＡＮＤ型／ＮＯＲ型追う
日経マイクロデバイス　第249号　2006.3.1

この記事の情報
掲載誌	日経マイクロデバイス　第249号（2006.3.1）
ページ数	2ページ　（全2404字）
形式	PDFファイル形式　（257kb）
雑誌掲載位置	80〜81ページ目

　２００６年以降，新型のフラッシュ・メモリーが相次いで市場に登場する（図１）。先陣を切るのが，２００６年３月に量産を開始する米Ｓｐａｎｓｉｏｎ　Ｉｎｃ．の「ＯＲＮＡＮＤ」である注１）。２００８年には米Ｆｒｅｅｓｃａｌｅ　Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ，　Ｉｎｃ．がＳｉ微粒子メモリーを投入する注２）。　これらの新型フラッシュの特徴は，既存のフラッシュが採用する浮遊ゲート型を取らないことである。ＯＲＮＡＮ…