Ｒｅｐｏｒｔ［ＬＳＩ］〜米ＩｎｔｅｌがＲｅＲＡＭの研究に着手 本命メモリーＰＲＡＭの“保険”に
日経マイクロデバイス 第244号 2005.10.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第244号（2005.10.1） |
|---|---|
| ページ数 | 2ページ （全3456字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （249kb） |
| 雑誌掲載位置 | 84〜85ページ目 |
米Ｉｎｔｅｌ Ｃｏｒｐ．がポスト・フラッシュ時代を見据え，新たな不揮発性メモリーＲｅＲＡＭ（Ｒｅｓｉｓｔｉｖｅ ＲＡＭ）に触手を伸ばした。ＲｅＲＡＭは，記憶素子に電界を印加した際に生ずる巨大な抵抗変化を利用するメモリーである。２００２年にシャープが「ＲＲＡＭ」注１），２００４年に韓国Ｓａｍｓｕｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｃｏ．，Ｌｔｄ．が「ＯｘＲＲＡＭ」注２）をそれぞれ発表して以来，注目を集め…
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