Ｔｅｃｈ−Ｏｎ！Ｒａｎｋｉｎｇ［ＬＳＩ］〜全方位で新型不揮発を攻めるＳａｍｓｕｎｇ ＭＲＡＭ開発は続けるのか
日経マイクロデバイス 第243号 2005.9.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第243号（2005.9.1） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全328字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （261kb） |
| 雑誌掲載位置 | 81ページ目 |
韓国Ｓａｍｓｕｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｃｏ．， Ｌｔｄ．は，２００５年７月２２日に応用物理学会液晶工学分科会が開催した研究会「不揮発メモリの現状と将来」で，新型不揮発性メモリーの将来動向について考察した。同社は，新型不揮発性メモリーのうち，ＦｅＲＡＭ（強誘電体メモリー），ＭＲＡＭ（ｍａｇｎｅｔｏｒｅｓｉｓｔｉｖｅ ＲＡＭ），ＰＲＡＭ（相変化メモリー），ＲｅＲＡＭ（ｒｅｓｉｓｔｉｖｅ ＲＡＭ…
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