Ｒｅｐｏｒｔ［ＬＳＩ］〜ｈｉｇｈ−ｋゲート・スタックから 量子コンピュータ要素技術まで見通す
日経マイクロデバイス 第243号 2005.9.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第243号（2005.9.1） |
|---|---|
| ページ数 | 2ページ （全4362字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （244kb） |
| 雑誌掲載位置 | 66〜67ページ目 |
高誘電率（ｈｉｇｈ−ｋ）ゲート・スタックから量子コンピュータの要素技術まで−。９月１３〜１５日に神戸国際会議場で開催される「２００５ Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ ｏｎ Ｓｏｌｉｄ Ｓｔａｔｅ Ｄｅｖｉｃｅｓ ａｎｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ（ＳＳＤＭ ２００５）」では，３〜７年後のデバイス・材料技術の最新動向を見通すことができる注１）。ＦＵＧＥゲート電極技術が登場 今回のＳＳＤＭ…
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