Ｒｅｐｏｒｔ［ＬＳＩ］ 囲み ７０ｎｍのＮＭＮＤ専用ラインで本格量産，〜ポスト・フラッシュの開発が活発化 台湾のメモリー４社がＰＲＡＭを共同開発
日経マイクロデバイス 第242号 2005.8.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第242号（2005.8.1） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全803字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （231kb） |
| 雑誌掲載位置 | 112ページ目 |
ポスト・フラッシュに向けた新型不揮発性メモリーの開発が活発化し始めた。特に最近動きが目立つのが，ＰＲＡＭ（ｐｈａｓｅ ｃｈａｎｇｅ ＲＡＭ）である。すでに米Ｉｎｔｅｌ Ｃｏｒｐ．や韓国Ｓａｍｓｕｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｃｏ．， Ｌｔｄ．などが開発を進めている。加えて，２００５年５月に米ＩＢＭ Ｃｏｒｐ．，独Ｉｎｆｉｎｅｏｎ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ ＡＧ，台湾Ｍａｃｒｏｎｉｘ Ｉｎｔｅｒｎ…
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