Ｒｅｐｏｒｔ［ＬＳＩ］〜３次元メモリーが小容量市場に攻勢 チップ面積をフラッシュの１／４〜１／３に
日経マイクロデバイス 第240号 2005.6.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第240号（2005.6.1） |
|---|---|
| ページ数 | 2ページ （全2834字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （82kb） |
| 雑誌掲載位置 | 84〜85ページ目 |
１Ｇビット以下の小容量メモリー市場の攻略を狙い，３次元メモリーが攻勢に打って出る。米Ｍａｔｒｉｘ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ， Ｉｎｃ．は，２００５年第３四半期に３次元メモリーでは初となる１Ｇビット品を含む第３世代品を市場に投入する注１）。新たにチップ面積削減技術を導入し，小容量市場でのＮＡＮＤ型フラッシュ・メモリーに対するコスト競争力を高めた。狙う市場は，ゲーム機向けコンテンツ格納ＲＯＭ，デジ…
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