Key Word 今月のキー・ワード〜『FUSIゲート』
日経マイクロデバイス 第236号 2005.2.1
掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第236号(2005.2.1) |
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ページ数 | 1ページ (全1348字) |
形式 | PDFファイル形式 (28kb) |
雑誌掲載位置 | 13ページ目 |
45nmノード(hp65)から必要になるメタル・ゲートの第1候補に,「FUSI(fully silicided)ゲート」が急浮上してきた。FUSIゲートとは,通常の多結晶Siゲートを表面だけではなく内部まで完全にシリサイド化したゲート電極を指す。ピュア・メタルを使う場合に比べて,従来の多結晶Siゲートに近い製造プロセスでメタル・ゲートを実現できる点が注目されている。しかし,これまでは高誘電率(h…
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