Report[LSI]〜液浸露光で攻勢かけるオランダASML TSMCに続き,松下などが採用
日経マイクロデバイス 第234号 2004.12.1
掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第234号(2004.12.1) |
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ページ数 | 4ページ (全4988字) |
形式 | PDFファイル形式 (119kb) |
雑誌掲載位置 | 164〜167ページ目 |
液浸ArFエキシマ・レーザー露光装置で主導権を握ろうとオランダASM Lithography(ASML)社が攻勢をかけている(図1)。この10月には,台湾Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. Ltd.(TSMC)に開口数(NA)0.85の液浸ArF露光装置「XT:1250i」を納入した。300mmライン「Fab12」に設置し,65nmノード(hp90)技術…
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