ＷＥＢ Ａｃｃｅｓｓ Ｒａｎｋｉｎｇ［Ｌｏｇｉｃ］〜４５ｎｍで技術の曲がり角に ポーラスｌｏｗ−ｋ膜で洗浄装置の対応分かれる
日経マイクロデバイス 第233号 2004.11.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第233号（2004.11.1） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全533字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （233kb） |
| 雑誌掲載位置 | 99ページ目 |
４５ｎｍノード（ｈｐ６５）で採用する技術は，ＬＳＩの待機電流が顕在化するなど多くの点で曲がり角に来ている。ｈｉｇｈ−ｋゲート絶縁膜，ストレス印加による移動度向上，ｌｏｗ−ｋ材料など新技術の導入が増える。すでに，２００５年から始まる６５ｎｍノード品に「ＮＣＳ（Ｎａｎｏ−Ｃｌｕｓｔｅｒｉｎｇ Ｓｉｌｉｃａ）」をＳｉＯＣとのハイブリッドで第１層（Ｍ１）から第４層（Ｍ４）の配線に適用することを決めている…
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