Ｃｏｖｅｒ Ｓｔｏｒｙ とびら ４５ｎｍは“戦略的微細化”で突破〜４５ｎｍは “戦略的微細化”で突破
日経マイクロデバイス 第233号 2004.11.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第233号（2004.11.1） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全1296字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （104kb） |
| 雑誌掲載位置 | 33ページ目 |
４５ｎｍノード（ｈｐ６５）を境に，ＬＳＩメーカーは微細化技術で戦略転換を迫られる。従来は共通のプロセス・デバイス技術で高性能版から低電力版まで各仕様の製品に対応できた。４５ｎｍでは高誘電率（ｈｉｇｈ−ｋ）絶縁膜，新型アニール技術，ポーラス低誘電率（ｌｏｗ−ｋ）膜など，過去に例のないほど多くの新技術を導入する。そこでは，目的とする製品仕様に応じて，材料や素子構造の組み合わせ方を変える必要がある。この…
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