ＷＥＢ Ａｃｃｅｓｓ Ｒａｎｋｉｎｇ［Ｍｅｍｏｒｙ］〜富士通が５層配線１８０ｎｍ ＦｅＲＡＭで 「量産レベルの実力」
日経マイクロデバイス 第232号 2004.10.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第232号（2004.10.1） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全425字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （162kb） |
| 雑誌掲載位置 | 100ページ目 |
富士通は，１８０ｎｍプロセスによる５層配線の単体ＦｅＲＡＭ（強誘電体メモリー）を高い歩留まりで量産可能な新しい製造技術を「ＮＶＳＭＷ ２００４」で明らかにした。１トランジスタと１キャパシタによる「１Ｔ１Ｃ」型を採用している。今回，新規に導入したＳｉＯ２の形成技術によって，（１）Ｈによる還元劣化を抑え，（２）データ保持特性を改善した。１８０ｎｍプロセスでは，ＴＥＯＳでＳｉＯ２を形成しようとしてもボ…
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