ＷＥＢ Ａｃｃｅｓｓ Ｒａｎｋｉｎｇ［Ｍｅｍｏｒｙ］〜米ＩＢＭが「ＲＲＡＭ」を 「ＮＶＳＭＷ２００４」で披露 動作原理の解明目指し実用化へ
日経マイクロデバイス 第232号 2004.10.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第232号（2004.10.1） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全354字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （162kb） |
| 雑誌掲載位置 | 100ページ目 |
米ＩＢＭ Ｃｏｒｐ．のスイスＺｕｒｉｃｈ Ｒｅｓｅａｒｃｈ Ｌａｂｏｒａｔｏｒｙは，記憶素子に高温超電導材料を使った不揮発性メモリーについて８月に開催の「ＮＶＳＭＷ ２００４」で発表した。記憶素子に電流パルスを与えることで抵抗値を大幅に変化させることができる現象を利用して，２値以上のデータを不揮発に記憶する。今回，記憶素子の材料を明確にしたうえで，抵抗値が大きく変わる現象を確認したこと，加速度試…
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