ＷＥＢ Ａｃｃｅｓｓ Ｒａｎｋｉｎｇ［Ｌｏｇｉｃ］〜ｈｉｇｈ−ｋゲート構造の Ｖｆｂシフトに関する議論が 応用物理学会で白熱
日経マイクロデバイス 第232号 2004.10.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第232号（2004.10.1） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全635字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （268kb） |
| 雑誌掲載位置 | 98ページ目 |
高誘電率（ｈｉｇｈ−ｋ）ゲート絶縁膜は，多結晶Ｓｉゲート電極と接触させた際に異常なフラットバンド電圧（Ｖｆｂ）シフトが起きることが大きな課題になっているが，このメカニズムに関する議論が活発化している。９月１日から仙台で開かれている「第６５回応用物理学会学術講演会」で，このような動きが見えた。Ｖｆｂシフトの原因として現在有望視されているのが「酸素空孔説」である。これはｈｉｇｈ−ｋ膜（Ｈｆ系酸化物）…
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