ＷＥＢ　Ａｃｃｅｓｓ　Ｒａｎｋｉｎｇ［Ｍｅｍｏｒｙ］〜韓国Ｓａｍｓｕｎｇ　５０ｎｍ以下のメモリー向けの　３次元トランジスタ技術を開発
日経マイクロデバイス　第231号　2004.9.1

この記事の情報
掲載誌	日経マイクロデバイス　第231号（2004.9.1）
ページ数	1ページ　（全604字）
形式	PDFファイル形式　（66kb）
雑誌掲載位置	92ページ目

　韓国Ｓａｍｓｕｎｇ　Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ　Ｃｏ．，　Ｌｔｄ．は，５０ｎｍ以下のメモリーに使用できる新素子技術を開発した。今回開発した技術は，３次元トランジスタ技術の「多層チャネル・トランジスタ技術」と「突起型トランジスタ技術」である。これらの技術はトランジスタを立体化させることで，複数チャネルの使用を可能にする。これまで，メモリーのトランジスタはウエーハ平面に２次元的に形成され，チャネルが１個…