Ｃｈａｌｌｅｎｇｅｒ〜ＳｉＣ事業化を起爆剤に　狙うは日本発の省エネ革命
日経マイクロデバイス　第229号　2004.7.1

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掲載誌	日経マイクロデバイス　第229号（2004.7.1）
ページ数	1ページ　（全1461字）
形式	PDFファイル形式　（26kb）
雑誌掲載位置	186ページ目

村上　路一　氏シクスオン代表取締役社長　「エネルギー資源に乏しい日本こそが，革新的な省エネ技術を世界に向けて発信すべき」。村上路一氏が代表取締役を務めるシクスオンは，そのような発想の下で世界に先駆けてＳｉＣ半導体の事業化を目指す。　一般に，ＳｉＣは耐熱性や耐電圧性に優れ，電力損失がＳｉと比較して格段に小さい。「家電に多用されているインバータ回路や車載機器向けのパワー素子をこのＳｉＣで置き換えられれ…