Ｉｎｓｉｄｅ Ｍｅｍｏｒｙ〜プラズマのメカニズム極めて 新材料メモリー，ＣＣＤの課題を克服
日経マイクロデバイス 第227号 2004.5.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第227号（2004.5.1） |
|---|---|
| ページ数 | 8ページ （全10934字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （175kb） |
| 雑誌掲載位置 | 87〜94ページ目 |
寒川 誠二東北大学 教授流体科学研究所 流体融合研究センター知的ナノプロセス研究分野ＭＲＡＭ（ｍａｇｎｅｔｏｒｅｓｉｓｔｉｖｅ ＲＡＭ）や強誘電体メモリー（ＦｅＲＡＭ），ＣＣＤのマイクロレンズ。新プロセスの課題を，プラズマを制御することによって解決する。このような取り組みを東北大学が進めている。数十μｓの間隔でオン／オフを繰り返す「タイム・モジュレーション・プラズマ」と呼ぶ技術を駆使し，プラズマ中…
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