Ｒｅｐｏｒｔ［Ｌｏｇｉｃ］〜世界最小セルのメモリー技術 １３．９ＧＨｚ動作のＰＬＬに注目
日経マイクロデバイス 第226号 2004.4.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第226号（2004.4.1） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全1650字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （62kb） |
| 雑誌掲載位置 | 105ページ目 |
デバイス技術は「４５ｎｍ（ｈｐ６５）プロセスと高集積メモリー」，回路技術は「９０ｎｍ（ｈｐ１３０）ＬＳＩと高速インタフェース」。これらが，６月１５〜１９日に米国ハワイで開かれるＬＳＩ技術の国際会議「２００４ Ｓｙｍｐｏｓｉａ ｏｎ ＶＬＳＩ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ ａｎｄ Ｃｉｒｃｕｉｔｓ」を読み解くキーワードになる。ＤＲＡＭセルで０．０３６μｍ２を達成 デバイスの４５ｎｍプロセス技術に関しては，…
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