Ｒｅｐｏｒｔ［Ｍｅｍｏｒｙ］〜「ＲＲＡＭ」のＣＭＲ材料に新特性 静電容量が変化，応用はＲＦ ＩＣにも
日経マイクロデバイス 第224号 2004.2.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第224号（2004.2.1） |
|---|---|
| ページ数 | 2ページ （全3577字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （373kb） |
| 雑誌掲載位置 | 92〜93ページ目 |
高速かつ大容量の次世代不揮発性メモリーとして高い可能性を持つ「ＲＲＡＭ（ｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ ＲＡＭ）」（表１）。その記憶素子に使う材料であるＣＭＲ（ｃｏｌｏｓｓａｌ ｍａｇｎｅｔｏｒｅｓｉｓｔｉｖｅ）の開発者が，これまで公にしていなかった特性を明らかにした。電圧パルスによって静電容量を大幅に変えられるとの特性を実験データから示した。これまでＣＭＲは，電気パルスで抵抗値を変えられることは報告され…
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