Ｒａｎｋｉｎｇ［Ｍｅｍｏｒｙ］〜「ＰＨＩＮＥＳはＮＲＯＭより優位」 台湾Ｍａｃｒｏｎｉｘが発表
日経マイクロデバイス 第222号 2003.12.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第222号（2003.12.1） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全389字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （102kb） |
| 雑誌掲載位置 | 151ページ目 |
台湾Ｍａｃｒｏｎｉｘ Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｃｏ．， Ｌｔｄ．のＴ．Ｃ．Ｌｉｕ氏は，同社のＭＯＮＯＳ（ｍｅｔａｌ ｏｘｉｄｅ ｎｉｔｒｉｄｅ ｏｘｉｄｅ ｓｉｌｉｃｏｎ）／ＳＯＮＯＳ（Ｓｉ−ＯＮＯ−Ｓｉ）構造のフラッシュ・メモリー「ＰＨＩＮＥＳ」が，ＮＲＯＭに対して優位であると「２００３ Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｓｙｍｐｏｓｉｕｍ ｏｎ Ａｄｖａｎｃｅｄ Ｄｅｖｉｃｅｓ ａｎｄ Ｐｒｏ…
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