Ｒａｎｋｉｎｇ［Ｍｅｍｏｒｙ］〜米ＭｏｔｏｒｏｌａのＭＲＡＭ混載 量産開始予定は２００４年 まずは民生機器向けから
日経マイクロデバイス 第222号 2003.12.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第222号（2003.12.1） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全585字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （102kb） |
| 雑誌掲載位置 | 150ページ目 |
米Ｍｏｔｏｒｏｌａ， Ｉｎｃ．は，自動車・家電向け組み込みプロセサに混載する不揮発性メモリーについて，当面は浮遊ゲート構造のフラッシュ・メモリーを採用し続ける意向を明らかにした。同社は，混載メモリー技術として，ＭＯＮＯＳ（ｍｅｔａｌ ｏｘｉｄｅ ｎｉｔｒｉｄｅ ｏｘｉｄｅ ｓｉｌｉｃｏｎ）構造のフラッシュやＭＲＡＭ（ｍａｇｎｅｔｉｃ ＲＡＭ）といった新型を開発しており，学会などで積極的に発表して…
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