Ｒｅｐｏｒｔ［Ｌｏｇｉｃ］〜トランジスタの専門家６人が チャネル材料・構造の進化を議論
日経マイクロデバイス 第221号 2003.11.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第221号（2003.11.1） |
|---|---|
| ページ数 | 2ページ （全2762字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （101kb） |
| 雑誌掲載位置 | 126〜127ページ目 |
ＭＯＳトランジスタの高性能化のために，微細化以外に新たな指導原理が必要になる（図１）。最も有望なのは，チャネル材料・構造の革新である。この９月に開かれた「２００３ Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ ｏｎ Ｓｏｌｉｄ Ｓｔａｔｅ Ｄｅｖｉｃｅｓ ａｎｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ（ＳＳＤＭ ２００３）」のパネル討論ではＭＯＳトランジスタの専門家６人が集まり，チャネル技術の進化について議論し…
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