Ｒａｎｋｉｎｇ［Ｍｅｍｏｒｙ］〜「今後５年はＥＴＯＸ型とＮＡＮＤ型が主流」 米Ｉｎｔｅｌが今後を予測
日経マイクロデバイス 第221号 2003.11.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第221号（2003.11.1） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全299字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （100kb） |
| 雑誌掲載位置 | 123ページ目 |
米Ｉｎｔｅｌ Ｃｏｒｐ．のＶｉｃｅ ＰｒｅｓｉｄｅｎｔであるＳｔｅｆａｎ Ｋ． Ｌａｉ氏が同社の不揮発性メモリー技術に関して「Ｉｎｔｅｌ Ｄｅｖｅｌｏｐｅｒ Ｆｏｒｕｍ」で講演した。各種メモリー構造などを比較した。講演では，今後５年間は現在のＥＴＯＸ型やＮＡＮＤ型のフラッシュ・メモリーが主流であり続けるとしている。将来は強誘電体メモリー（ＦｅＲＡＭ），ＭＲＡＭ，「ＯＵＭ」，ＲＲＡＭ，高分子メモリ…
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