Ｒａｎｋｉｎｇ［Ｍｅｍｏｒｙ］〜ＸＤＲ−ＤＲＡＭとＳＯＩ−ＤＲＡＭの実用化時期を 東芝が提示
日経マイクロデバイス 第221号 2003.11.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第221号（2003.11.1） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全288字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （100kb） |
| 雑誌掲載位置 | 123ページ目 |
東芝がＸＤＲ（ｏｃｔａｌ ｄａｔａ ｒａｔｅ）−ＤＲＡＭとＳＯＩ（ｓｉｌｉｃｏｎ ｏｎ ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）−ＤＲＡＭの実用化時期を「ＣＥＡＴＥＣ ＪＡＰＡＮ ２００３」で提示した。ＸＤＲに関しては，まず１３０ｎｍ技術を使った５１２Ｍビット品から製品化する。２００４年第１四半期にワーキング・サンプル，同第２四半期に電気特性評価用サンプルを出荷し，２００５年に量産を開始する。２５６Ｍビット品は５１…
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