Ｒａｎｋｉｎｇ［Ｌｏｇｉｃ］〜米Ｉｎｔｅｌ ９０ｎｍプロセスの詳細を発表 ＳｉＮ膜との２層構造を実現
日経マイクロデバイス 第221号 2003.11.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第221号（2003.11.1） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全378字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （105kb） |
| 雑誌掲載位置 | 120ページ目 |
米Ｉｎｔｅｌ Ｃｏｒｐ．が，同社の９０ｎｍプロセス技術の詳細を９月１５〜１８日に米国サンノゼで開かれた「Ｉｎｔｅｌ Ｄｅｖｅｌｏｐｅｒ Ｆｏｒｕｍ」で発表した。トランジスタ技術に関しては，ＮｉＳｉ技術とひずみＳｉ技術の組み合わせによって，従来トレンドに沿った性能を達成している。ただし，ひずみＳｉ技術の詳細は明らかにしていない。配線技術に関しては，Ｃｕ配線とＣドープトＳｉＯの低誘電率（ｌｏｗ−ｋ）…
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