Ｉｎｓｉｄｅ　Ｍｅｍｏｒｙ〜復活かけるエルピーダの１Ｇ　ＤＲＡＭ　Ｗポリメタル・ゲート技術で高速化
日経マイクロデバイス　第221号　2003.11.1

この記事の情報
掲載誌	日経マイクロデバイス　第221号（2003.11.1）
ページ数	8ページ　（全7811字）
形式	PDFファイル形式　（172kb）
雑誌掲載位置	83〜90ページ目

安達　隆郎エルピーダメモリ開発センターＴ＆Ｄオフィス「技術力では世界一」。エルピーダメモリ社長の坂本幸雄氏が，これほどまで自信を示す技術を結集したチップが，ＤＤＲ２仕様の１ＧビットＤＲＡＭである。要となるのは，高速化のためのＷポリメタル・ゲート，大容量化のためのクラウン構造キャパシタなどの新技術である。試作チップを量産ラインで作ることによって，試作から量産立ち上げまでの期間を大幅に短縮した。（三宅…