Ｍａｎａｇｅｍｅｎｔ ｏｆ Ｔｅｃｈｎｏｒｏｇｙ〜ＡＭＡＴがＩｎｔｅｌから経営者を迎えた意味
日経マイクロデバイス 第220号 2003.10.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第220号（2003.10.1） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全1640字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （44kb） |
| 雑誌掲載位置 | 149ページ目 |
半導体プロセスには，高誘電率（ｈｉｇｈ−ｋ）絶縁膜，低誘電率（ｌｏｗ−ｋ）に始まり，ひずみＳｉ，強誘電体，磁性体など，新しい材料が次々と現れ，それらを使いこなさなくては最先端のデバイスを作ることが困難になってきている。リソグラフィ技術にしても，ｉ線，ＫｒＦは少なくとも二世代のデバイスに使えたのに対し，ＡｒＦ，Ｆ２は一世代しかもたないという話がある。半導体製造プロセスはあらゆるところで物理限界にぶ…
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