Ｉｎｓｉｄｅ Ｌｏｇｉｃ〜１０ｎｍゲートへの進化シナリオ 「新材料＋超薄膜ＳＯＩ＋立体ゲート構造」へ
日経マイクロデバイス 第220号 2003.10.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第220号（2003.10.1） |
|---|---|
| ページ数 | 10ページ （全14027字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （293kb） |
| 雑誌掲載位置 | 53〜62ページ目 |
高木信一，水野智久，手塚勉，杉山直治，臼田宏治，中払周，沼田敏典，守山佳彦，古賀淳二，田邊顕人，平下紀夫，前田辰郎半導体ＭＩＲＡＩプロジェクト６５ｎｍ，４５ｎｍ，３２ｎｍ・・・・・・。１０ｎｍに向けたＭＯＳトランジスタの進化を，世界のトランジスタ研究をリードし続ける半導体ＭＩＲＡＩプロジェクトの研究グループが見通す。３２ｎｍ以降，素子の駆動力はチャネル長には依存せず，スケーリングによる性能向上をも…
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