Ｒａｎｋｉｎｇ［Ｌｏｇｉｃ］〜ハイライト・セッションで ｈｉｇｈ−ｋの解析や６５ｎｍについて発表
日経マイクロデバイス 第218号 2003.8.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第218号（2003.8.1） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全340字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （100kb） |
| 雑誌掲載位置 | 101ページ目 |
半導体デバイス・プロセス技術の国際会議「２００３ Ｓｙｍｐｏｓｉｕｍ ｏｎ ＶＬＳＩ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ」が京都で開幕，初日のハイライト・セッションでは，高誘電率（ｈｉｇｈ−ｋ）ゲート絶縁膜に関する解析技術や６５ｎｍプロセスなどが発表になった。Ｈｉｇｈ−ｋ膜材料に関しては，米Ｍｏｔｏｒｏｌａ Ｉｎｃ．がＭＯＳ ＦＥＴのしきい電圧上昇の原因である多結晶Ｓｉ−メタル酸化膜界面のフェルミ・ピンニング…
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