Ｉｎｓｉｄｅ Ｍｅｍｏｒｙ〜１６ＧビットＮＡＮＤフラッシュへの道 東芝が５０ｎｍで４Ｆ２の「究極のセル」実現へ
日経マイクロデバイス 第218号 2003.8.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第218号（2003.8.1） |
|---|---|
| ページ数 | 6ページ （全7387字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （172kb） |
| 雑誌掲載位置 | 57〜62ページ目 |
１６ＧビットＮＡＮＤ型フラッシュ・メモリーの実用化に，東芝セミコンダクター社がメドを付けた。同社は９０ｎｍプロセスで４．４Ｆ２（Ｆは設計ルール）のセルを開発したが，７０ｎｍおよび５０ｎｍのプロセスを使って４Ｆ２を可能にする。「完全自己整合型」のシャロー・トレンチ分離（ＳＴＩ）技術を開発，セル同士をギリギリまで近接させて実現した。この技術を使って９０ｎｍの４Ｇビット品を２００４年第１四半期，７０ｎｍ…
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