Ｒａｎｋｉｎｇ［Ｍｅｍｏｒｙ］〜ソニーセミコンダクター九州が 米ＭｏＳｙｓからライセンス供与 「１Ｔ−ＳＲＡＭ」混載メモリー技術で量産へ
日経マイクロデバイス 第217号 2003.7.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第217号（2003.7.1） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全214字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （63kb） |
| 雑誌掲載位置 | 130ページ目 |
ソニーセミコンダクター九州は，米ＭｏＳｙｓ， Ｉｎｃ．から同社の持つ「１Ｔ−ＳＲＡＭ」技術のライセンス供与を受けたことを，ＭｏＳｙｓが発表した。１Ｔ−ＳＲＡＭは，６トランジスタ型ＳＲＡＭに比べてセル面積を約半分に抑えられるメモリー混載技術である（本誌２００３年２月号，ｐ．９８に関連記事）。既にソニーセミコンダクター九州の親会社であるソニーはこの技術のライセンスを受けて２００１年より量産を始めてい…
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