技術レター［ＬＳＩ製造］〜「１Ｔ−ＳＲＡＭ」の採用相次ぐ　ソニーセミコンダクター九州と中国ＳＭＩＣが量産へ
日経マイクロデバイス　第216号　2003.6.1

この記事の情報
掲載誌	日経マイクロデバイス　第216号（2003.6.1）
ページ数	1ページ　（全204字）
形式	PDFファイル形式　（68kb）
雑誌掲載位置	40ページ目

ＳＲＡＭ混載メモリーＳｉファウンドリ　米ＭｏＳｙｓ，　Ｉｎｃ．は，同社の「１Ｔ−ＳＲＡＭ」技術をソニーセミコンダクター九州に供与した。また，中国Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ　Ｍａｎｕｆａｃｔｕｒｉｎｇ　Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ　Ｃｏｒｐ．（ＳＭＩＣ）の混載メモリーとしても利用可能になった。１Ｔ−ＳＲＡＭは，一般的な６トランジスタ型ＳＲＡＭに比べてセル面積を約半分に抑えられる混載メモリー技術である。…