技術レター［ＬＳＩ製造］〜伊仏ＳＴＭｉｃｒｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓが ＮＡＮＤ型フラッシュに参入 韓国Ｈｙｎｉｘと組む
日経マイクロデバイス 第216号 2003.6.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第216号（2003.6.1） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全357字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （68kb） |
| 雑誌掲載位置 | 40ページ目 |
フラッシュメモリー市場動向 伊仏ＳＴ Ｍｉｃｒｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ社は，韓国Ｈｙｎｉｘ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ， Ｉｎｃ．と共同で，マルチメディア・データの格納に適したＮＡＮＤ型フラッシュ・メモリーを共同開発する。ＳＴは，プログラム格納に適したＮＯＲ型フラッシュ市場では大手だがＮＡＮＤ型への参入は初めてとなる。Ｈｙｎｉｘは，ＮＡＮＤ型への参入意向があったものの，正式発表していなかった。ＮＯ…
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