μレポート[LSI製造]〜第4の状態“プラズマ” 本領を発揮させる 検査・分析技術が続出
日経マイクロデバイス 第215号 2003.5.1
掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第215号(2003.5.1) |
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ページ数 | 2ページ (全2567字) |
形式 | PDFファイル形式 (146kb) |
雑誌掲載位置 | 38〜39ページ目 |
検査・分析プラズマ技術エッチングLSIプロセスにおけるプラズマ技術が大きく進化する可能性が出てきた。これまでもプラズマ技術はエッチャやCVD装置を中心に幅広く使われてきた。しかし,固体,液体,気体に続く第4の状態と呼ばれるプラズマが持つ本来の能力を生かしきっていない。プラズマの各種特徴のうち,「高エネルギーという特徴を使って原料分子を壊しているだけ」(東北大学教授の寒川誠二氏)だったからである。こ…
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